о компании соединения А3В5 изделия из бериллия Высокочистые материалы для молекулярно пучковой эпитаксии
о компании соединения А3В5 материалы и источники высокочистые материалы
home e-mail на главную


Алюминий (Al) 5N UP МПЭ

Алюминий (Al) 5N8 UP МПЭ

Галлий (Ga) 6N

Галлий (Ga) 7N

Галлий (Ga) 8N МПЭ

Индий (In) 6N

Индий (In) 7N МПЭ

Кобальт (Co) 4N5

Марганец (Mn) 5N8

Мышьяк (As) 6N

Мышьяк (As) 7N МПЭ

Сурьма (Sb) 6N

Тетрабромид углерода (CBr4)

Фосфор красный лигатура (P) 6N

Фосфор красный (P) 7N МПЭ

высокочистый мндий 7N  (99.99999) In 7N индий  7 N



Высокочистый Индий марки 7N МПЭ
для использования в качестве источников молекулярно пучковой эпитаксии (Molecular Beam Epitaxy, MBE).
Чистота: 99,99999%
Слитки
размер, вес:

7х5х17 мм - 5 грамм.
17х58х9 мм -50 грамм.
23х82х9 мм- 100 грамм.


Производитель: RASA INDUSSTRIES Ltd. (Япония)