о компании соединения А3В5 изделия из бериллия Высокочистые материалы для молекулярно пучковой эпитаксии
о компании соединения А3В5 материалы и источники высокочистые материалы
home e-mail на главную


Алюминий (Al) 5N UP МПЭ

Алюминий (Al) 5N8 UP МПЭ

Галлий (Ga) 6N

Галлий (Ga) 7N

Галлий (Ga) 8N МПЭ

Индий (In) 6N

Индий (In) 7N МПЭ

Кобальт (Co) 4N5

Марганец (Mn) 5N8

Мышьяк (As) 6N

Мышьяк (As) 7N МПЭ

Сурьма (Sb) 6N

Тетрабромид углерода (CBr4)

Фосфор красный лигатура (P) 6N

Фосфор красный (P) 7N МПЭ

InAs арсенид индия Ga 8N галлий 8 N

99.99999%(glow discharge mass spectrometric / искровая масспектрометрия в тлеющем разряде) вес.  (1 ppb = 0.0000001%)

Высокочистый Галлий марки 8N МПЭ для использования в качестве источников молекулярно пучковой эпитаксии (Molecular Beam Epitaxy, MBE).

Чистота: 99,999999%
Расфасовка: по требованию заказчика
Все партии галлия сертифицированы методом искровой масс спектрометрии в тлеющем разряде (GDMS) в "Institute for Measurement Standards Chemical Metrology" (Канада)

фасовка по 2,5г , 10г, 50г

элементы ppb
B 0,08
Si <0,4
Fe 1
Na <0,08
S <0,3
Cu <0,3
Cd <2
Mg <0, 1
Cr <0,1
Zn <0,7
Sn <1
Al 0,1
Mn <0,1
P <0,1
Ni <0,1
In <0,2
Pb <0,1
Bi <0,2