|
Алюминий (Al) 5N UP МПЭ
Алюминий (Al) 5N8 UP МПЭ
Галлий (Ga) 6N
Галлий (Ga) 7N
Галлий (Ga) 8N МПЭ
Индий (In) 6N
Индий (In) 7N МПЭ
Кобальт (Co) 4N5
Марганец (Mn) 5N8
Мышьяк (As) 6N
Мышьяк (As) 7N МПЭ
Сурьма (Sb) 6N
Тетрабромид углерода (CBr4)
Фосфор красный лигатура (P) 6N
Фосфор красный (P) 7N МПЭ
 |
 CBr4 ЭПИТАКСИАЛЬНО ЧИСТЫЙ (Epi Pure Grade)
ТЕТРАБРОМИД УГЛЕРОДА -
ИСТОЧНИК ЛЕГИРОВАНИЯ УГЛЕРОДОМ ДЛЯ МПЭ
Молярный вес: 331,6
Точка кипения: 19 oС
Точка плавления: 88-90 oС
Плотность при 20?С: 3,42 г/мЛ
Внешний вид: твердое вещество белого цвета
Особо чистый тетрабромид углерода (CBr4) используется как высокоэффективный источник легирования углеродом при выращивании слоев полупроводниковых соединений А3В5 (GaAs, GaN, InGaAs) методом молекулярно пучковой эпитаксии (МПЭ). При этом легирование углеродом позволяет достигать гораздо более высокой концентрации носителей заряда в слоях p-типа, чем при легировании цинком или бериллием.
Использование для этой цели тетрабромида углерода очень эффективно, т.к. этот источник является совместимым с ростовыми системами МПЭ. Удается достигать концентрации дырок до 1х10E20 см-3 в пленках GaAs без эффекта подтравливания. Предлагаемый источник CBr4 имеет к тому же очень высокую степень очистки от углеводородов и низкое содержание металлических примесей.
Источник представляет собой цилиндрический сосуд, наполненный реагентом – CBr4; к сосуду подсоединены вентили стандартного размера и конфигурации, подходящие к определенной модели установки МПЭ(Riber,Varian). Емкость сосуда также соответствует модели установки МПЭ (от 150г до 1.5кг).
Азот (или аргон) подается в сосуд источника, уравновешивая поток CBr4, который поступает в камеру установки молекулярно-пучковой эпитаксии через систему вентилей. Парциальное давление CBr4 определяется температурой в сосуде; поток CBr4, достигающий образец в камере, и соответственно уровень легирования образца при высокой температуре (> 500 oС) пропорционален давлению в камере. |
